Neue verfahrenstechnische Lösungen sollen die Kristallausbeute bei der Herstellung von Siliziumhalbleitern erhöhen

Leistungselektronische Bauelemente werden u.a. auf Basis von hochdotiertem Silicium hergestellt. Um bei vertikalen leistungselektronischen Bauelementstrukturen die Widerstandsverluste in Durchlassrichtung zu minimieren, werden Siliciumkristalle mit einem sehr geringen elektrischen Widerstand benötigt. Die Fraunhofer-Forscher bringen ihre Erfahrung im Bereich der Kristallzüchtung, Simulation und Charakterisierung ein, um herauszufinden, was genau die Instabilitäten bei hohen Dotierstoffkonzentrationen im Kristall verursacht. Die Kenntnis dieser Mechanismen ermöglicht dann die Entwicklung verfahrenstechnischer Lösungen, um die Kristallausbeute zu erhöhen.

Ansprechpartner:
Dr. Jochen Friedrich
Fraunhofer THM
Am St.-Niclas-Schacht 13
09599 Freiberg
Tel. +49 (3731) 2033-100
info@thm.fraunhofer.de

Presseveröffentlichung vom 18.08.2015

Quelle

Besserer Gasdurchsatz und weniger Unverträglichkeiten durch Oxigenatoren mit extrem dünnen Hohlfasermembranen
Luftgekühlter elektrischer Antriebsstrang

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