Schnellster siliziumbasierter Transistor der Welt

Gemeinsam mit Infineon und weiteren zwölf Projektpartnern aus insgesamt sechs Ländern präsentierten Wissenschaftler des IHP SiGe HBTs mit einer maximalen Schwingfrequenz von 0,7 THz. Die vorgestellten Werte übertreffen die Bestwerte aktueller Produktionstechnologien etwa um den Faktor zwei. Solche Transistoren ermöglichen die Realisierung drahtgebundener und drahtloser Kommunikationssysteme mit noch höheren Datenraten (>100 Gb/s). Mit den schnellen HBTs kann laut Bernd Heinemann, Projektleiter am IHP, die Leistungsfähigkeit von Radarsystemen, die z. B. in Personenkraftwagen der Gefahrenabwendung dienen, gesteigert werden, indem der Leistungsverbrauch gesenkt oder die Reichweite und räumliche Auflösung erhöht werden.

Ansprechpartner:
Dr. Bernd Heinemann
Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Frankfurt (Oder)
Tel. +49 335 5625147
heinemann@ihp-microelectronics.com

Presseveröffentlichung vom 05.12.2016

Quelle

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