Erster rekonfigurierbarer Transistor aus Germanium demonstriert

Wissenschaftler des Nanoelectronic Materials Laboratory (NaMLab gGmbH) und des Exzellenzclusters Center for Advancing Electronics Dresden an der Technischen Universität Dresden haben den weltweit ersten Transistor aus Germanium realisiert, der sich elektrisch zwischen Elektronen- (n) und Löcherleitung (p) umprogrammieren lässt. Aufgrund der geringeren Bandlücke gegenüber Silizium können Transistoren aus Germanium mit niedriger Einsatzspannung betrieben werden. Daher ermöglichen die Transistoren aus Germanium einen wesentlich energiesparenderen Betrieb als vergleichbare Transistoren aus Silizium.

Ansprechpartner:
Matthias Hahndorf
cfaed – Center for Advancing Electronics Dresden
Technische Universität Dresden
Tel. +49 351 463-42847
matthias.hahndorf@tu-dresden.de

Presseveröffentlichung vom 03.02.2017

Quelle

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